钨靶材有什么用？

钨靶材经常作为物理气相沉积用溅射靶材，在半导体领域用于制作栅电极、连接布线、扩散阻挡层等。钨靶材主要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油、等领域。

其中，纯钨靶材主要用作金属层间的通孔和垂直接触的接触孔的填充物，即钨塞。而钨合金靶材，如WSi2，主要用在栅极多晶硅的上部作为多晶硅硅化物结构和局部互联线。随着半导体芯片尺寸越来越小，铜互连尺寸的缩小导致纳米尺度上电阻率的增加，这已成为制约半导体工业发展的一个技术瓶颈。有研究表明，难熔金属钨有望取代铜成为下一代的半导体布线金属材料。

特点

喷涂、烧结后的钨靶,具有99%的密度甚至更高、平均透明纹理的直径为100um甚至更小、含氧20ppm或更少，偏转角力为500Mpa左右的特性；提高未加工金属粉末的生产，提高烧结的能力，可以使钨靶的成本稳定在一个低价位。烧结后的钨靶密度高，具有传统的压制烧结方法所无法达到的高水准的透明框架，并且明显改善了偏转角力，以致颗粒物显著的减少。

物理性质

元素符号：W

原子序数：74

稳定同位素及其所占%：180(0.14)；182(26.41)；183(14.40)；184(30.64)；186(28.41)

相对原子质量：183.85

自由原子的电子层结构：1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25P65d46S2

原子体积：9.53cm3/mol

密度：19.35g/cm3

晶体结构及晶格常数：α-W：体心立方a=3.16524nm（25℃）

β-W：立方晶格a=5.046nm（630℃以下稳定）

熔点：3410±20℃

沸点：5927℃

熔化潜热：40.13±6.67kJ/mol

升华热：847.8kJ/mol(25℃)

蒸发热：823.85±20.9kJ/mol(沸点)

电阻温度系数：0.00482I/℃

电子逸出功：4.55eV

热中子俘获面：19.2b

弹性模量：35000~38000MPa(丝材)

扭力模量：～36000Mpa

体积模量：3.108×1011－1.579×107t+0.344×103t2Pa

剪切模量：4.103×1011－3.489×107t+7.55×103t2Pa

压缩性：2.910－7cm/kg

钨有两种变型，α和β。在标准温度和常压下，α型是稳定的体心立方结构。β型钨只有在有氧存在的条件下才能出现。它在630℃以下是稳定的，在630℃以上又转化为α钨，并且这一过程是不可逆的。

纯度：钨99.95%以上

密度：19.35g/cm3

表面状态：磨光或碱洗

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