靶材制备工艺八步曲

众所周知，靶材材料的技术发展趋势与靶材的制备发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。下面就跟着小编一起来了解一下靶材的制备方法吧！

1、首先用化学方法制成铟锡氧化物化学复合粉末，或者将单体氧化铟粉末和单体氧化锡粉末按9：1质量比混合，制成机械复合粉末。粉末呈球形或准球形，平均粒径为30-200nm，纯度为99%，无硬团聚。

2、将复合粉末在350℃氧气氛中进行脱氧处理。

3、把复合粉末装入包套内进行冷等静压。冷等静压介质为油，压力为200-280MPa，保压时间为10min。获得的粗坯密度为理论密度的45%-55%。

4、粗坯装入相应尺寸的容器内。容器与粗坯间隔以金属钽膜或镍膜或铌膜或铂膜，以阻止它们在高温高压下发生反应。

5、抽真空，封装有粗坯的容器。

6、将上述容器放入热等静压炉中进行热等静压处理。热等静压温度为100-300℃，保温时间为0.5-6h，氩气氛压力为100-120MPa。

7、热等静压后用稀硝酸酸洗去除碳钢容器，剥离金属箔隔层，获得靶材。

8、用线切割方法切割靶材，获得所需尺寸的产品。

——本文由材料商城整理发布，如有侵权，请联系删除，谢谢！材料商城有靶材，ITO靶材，真空镀膜材料，半导体材料等高纯材料。材料齐全，专业生产，可按需定制，价格实惠，欢迎咨询，材料商城竭诚为您服务！

本文链接：https://www.atozmat.com/arc/1697.html 转载请注明出处，谢谢！