2N7钛靶材

　　基本参数:

　　靶材名称：钛靶材，锆靶材，钽靶材，钼靶材，镍靶材，钛铝靶材，钨靶材等

　　牌号：TA1,TC4,W1，Ta1,N6,Mo1等

　　产地：上海

　　钛含量≥：99.7(%)

　　杂质含量：0.3(%)

　　重量：20(kg/块)

　　平面度：0.05~0.2

　　光洁度：0.6~63

　　公差：0.02~0.2

　　靶材的主要性能要求:

　　纯度

　　纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

　　杂质含量

　　靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。

　　密度

　　为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。

　　晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

　　通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶材的溅射速率比晶粒粗大的靶材的溅射速率快;而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶材溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

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