中频磁控溅射对靶材和磁场的设计以及工作气压要求

中频磁控溅射对靶材和磁场的设计以及工作气压要求很高，中频磁控溅射靶材是直流磁控溅射沉积速率的2到3倍。中频磁控溅射是两个靶工作，制备化合物膜层，由于其离化率低很难找到一个最佳的中毒点，对工作气体的流量控制要求很严格。若控制不好则很难制备均匀和结合力好的膜层。再就是磁场的设计主要是磁场分布的均匀性这样既可以提高靶材的利用率，另外对于最佳中毒点工作时的稳定性也有很大提高磁控溅射的离子能量和绕射性都远低于多弧靶面，与工件的距离是很重要的，太近离子对工件的轰击可以损坏膜层，太远则偏离了最佳溅射距离制备的膜层结合力很差

中频的靶材用的对靶,有的用到三对.靶都是比较大，就中频而言,现在用的多的都是镀一些金属的工件.这样的真空炉一般都做的比较大,可以放下很多任务件,镀出来的膜层也更加的致密.

中频溅射能否在较低的真空度条件下工作?是没有问题的，目前我们的进度是可以在8.0*10-2Pa工作。

中频溅射TiN薄膜颜色的影响因素?偏压对Lab值的影响?

偏压对颜色确实有很密切的关系,

溅射气压(氩气)对Lab值的影响?

这个问题比较复杂,他跟离化率有关系,跟压强有关系,跟靶距离交连方式有关系,很清晰的数据可能需要相当时间才能系统的整理,溅射气体与颜色应该说是决定于产出的溅射量影响到与反应气体的关系,而对颜色有影响

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