简述三极和四极溅射

三极溅射是在二极溅射的装置上附加一个电极，使放出热电子强化放电，它既能使溅射速率有所提高，又能使溅射工况的控制更为方埂。与二极溅射不同的是，可以在主阀全开的状态下制取高纯度的膜。

四极溅射又称为等离子弧柱溅射。在原来二极溅射靶材和基板垂直的位置上，针别放置一个发射热电子的灯丝(热阴极)和吸引热电子的辅助阳极，其间形成低电压、大电流的等离子体弧柱。大量电子碰撞气体电离，产生大量离子。这种溅射方法还是不能抑制由靶材产生的高速电子对基片的轰击，还存在因灯丝具有不纯物而使膜层沾污等问题。

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