简述射频溅射

60年代利用射频辉光放电，可以制取从导体到绝缘体任意材料的薄膜，因此在70年代得到普及。直流溅射是利用金属、半导体靶制取薄膜的有效方法，但当靶材是绝缘体时由于撞击到靶材上的离子会使靶材带电，靶材的电位上升，结果离子不能继续对靶材进行轰击。

射频是指无线电波发射范围的频率，为了避免干扰电台工作，溅射专用频率规定为13.56MHz。在射频电源交变电场作用下，气体中的电子随之发生振荡，并使气体电离为等离子体。

射频溅射的两个电极，既然是接在交变的射频电源上，似乎就没有阴极与阳极之分了。实际上射频溅射装置的两个电极并不是对称的。放置基片的电极与机壳相连，并且接地，这个电极相对安装靶材的电极而言，是一个大面积的电极。它的电位与等离子相近，几乎不受离子轰击。另一电极对于等离子处于负电位，是阴极，受到离子轰击，用于装置靶材。

其缺点是大功率的射频电源不仅价高，对于人身防护也成问题。因此，射频溅射不适于工业生产应用。

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