靶材的制作工艺

溅射靶材 2020-07-22 11:52

2.2平面显示器用靶材

平面显示器(FPD)近年来大幅冲以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。现在的1TO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造1TO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。现在一般采刚第一种方法生产ITO靶材，利，L}IRF反应溅射镀膜.它具有沉积速度快.且能精确控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l。但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极人。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结

温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率达到8.1×10n-cm，接近纯的ITO薄膜的电阻率。FPD和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽度甚至可以达到3133_，为了提高靶材的利用率，开发了不同形状的ITO靶材，如圆柱形等。2000年，国家发展计划委员会、科学技术部在《当前优先发展的信息产业重点领域指南》中，ITO大型靶材也列入其中。广西柳州华锡公司和宁夏九0五集团已完成了ⅡD靶材的研究工作，即将投入生产。

2.3存储技术用靶材

在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要人鼍的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是现在应朋展广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。现在开发山来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复台膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58,而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。